2SC5706-E Spécifications techniques

2SC5706-E datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
JESD-609 Code e6
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Max Power Dissipation 800mW
Pin Count 3
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
Collector Emitter Saturation Voltage 160mV
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 6 hours ago)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Number of Pins 3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.75
Base Part Number 2SC5706
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Gain Bandwidth Product 400MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 5A
Current - Collector Cutoff (Max) 1μA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Transition Frequency 400MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 100V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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