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2SD1012G-SPA Spécifications techniques
2SD1012G-SPA datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Operating Temperature | 125°C TJ |
Published | 2012 |
Part Status | Obsolete |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Other Transistors |
Base Part Number | 2SD1012 |
Element Configuration | Single |
Polarity/Channel Type | NPN |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 15V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 280 @ 50mA 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 80mV @ 10mA, 100mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 700mA |
Collector Base Voltage (VCBO) | 20V |
hFE Min | 280 |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | 3-SIP |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Bulk |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni) |
Max Power Dissipation | 250mW |
Pin Count | 3 |
Gain Bandwidth Product | 250MHz |
Transistor Type | NPN |
Max Collector Current | 700mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1μA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 15V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 30mV |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
RoHS Status | RoHS Compliant |
2SD1012G-SPA Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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2SD1000-D-T1-AZ | RENESAS | Circuits intégrés spécialisés | 1471 |
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