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2SD1060R-1E Spécifications techniques
2SD1060R-1E datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 29 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Max Power Dissipation | 1.75W |
Transistor Type | NPN |
Max Collector Current | 5A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100μA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Collector Base Voltage (VCBO) | 60V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2013 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Power - Max | 1.75W |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 300mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 300mA, 3A |
Frequency - Transition | 30MHz |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 6V |
Lead Free | Lead Free |
2SD1060R-1E Documents
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