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2SJ652-1E Spécifications techniques
MOSFET P-CH 60V 28A TO-220FP-3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 9 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2013 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation-Max | 2W Ta 30W Tc |
Turn On Delay Time | 33 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38m Ω @ 14A, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A Ta |
Rise Time | 210ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4V 10V |
Fall Time (Typ) | 180 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 28A |
Drain to Source Breakdown Voltage | -60V |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Other Transistors |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Element Configuration | Single |
FET Type | P-Channel |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4360pF @ 20V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 310 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
2SJ652-1E Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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2SJ652-1E | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 406 |
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