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2SK4124-1E Spécifications techniques

MOSFET N-CH Pwr MOSFET 500V 20A 430mOhm

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Weight 6.961991g
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Powers
Pin Count 3
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 170W Tc
Turn On Delay Time 26.5 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 430m Ω @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A Ta
Rise Time 95ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 58 ns
Continuous Drain Current (ID) 20A
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Number of Pins 3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Channels 1
Element Configuration Single
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46.6nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 145 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
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2SK4124-1E fabricants de marques: ON Semiconductor, Bonchip action, 2SK4124-1E prix de référence. 2SK4124-1E paramètres, 2SK4124-1E Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le 2SK4124-1E Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver 2SK4124-1E schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, 2SK4124-1E tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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