2V7002LT3G Spécifications techniques

MOSFET NFET 60V 115MA 7.5O

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Power Dissipation-Max 225mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 20 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 115mA
DS Breakdown Voltage-Min 60V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 300mW
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 Ω @ 500mA, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 115mA Tc
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 5V 10V
Turn-Off Delay Time 40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Feedback Cap-Max (Crss) 5 pF
Lead Free Lead Free
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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