4N32M Spécifications techniques

OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Isolateurs / Opto-isolateurs photovoltaïques
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 6
Weight 855mg
Packaging Tube
Part Status Active
Max Operating Temperature 100°C
Max Power Dissipation 250mW
Voltage - Isolation 4170Vrms
Output Type Darlington with Base
Number of Channels 1
Power Dissipation 250mW
Input Type DC
Max Output Voltage 30V
Forward Voltage 1.5V
Max Collector Current 150mA
Reverse Breakdown Voltage 3V
Max Input Current 80mA
Current - DC Forward (If) (Max) 80mA
Input Current 80mA
Vce Saturation (Max) 1V
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mount Through Hole
Package / Case 6-DIP (0.300, 7.62mm)
Supplier Device Package 6-DIP
Operating Temperature -40°C~100°C
Published 2008
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -40°C
Base Part Number 4N32
Output Voltage 30V
Number of Elements 1
Number of Circuits 1
Voltage - Forward (Vf) (Typ) 1.2V
Forward Current 80mA
Output Current per Channel 150mA
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1V
Current - Output / Channel 150mA
Voltage - Output (Max) 30V
Collector Emitter Saturation Voltage 1V
Current Transfer Ratio (Min) 500% @ 10mA
Turn On / Turn Off Time (Typ) 5μs, 100μs (Max)
Reverse Voltage (DC) 3V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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4N32M fabricants de marques: ON Semiconductor, Bonchip action, 4N32M prix de référence. 4N32M paramètres, 4N32M Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le 4N32M Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver 4N32M schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, 4N32M tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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