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6HP04CH-TL-W Spécifications techniques
MOSFET P-CH 60V 0.37A SB69
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Operating Temperature | 150°C TJ |
JESD-609 Code | e6 |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Other Transistors |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Number of Channels | 1 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 Ω @ 190mA, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 370mA Ta |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 0.37A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Weight | 1.437803g |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
Max Power Dissipation | 600mW |
Configuration | Single |
FET Type | P-Channel |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 24.1pF @ 20V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.84nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4V 10V |
Continuous Drain Current (ID) | 370mA |
Drain to Source Breakdown Voltage | -60V |
Lead Free | Lead Free |
6HP04CH-TL-W Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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6HP04CH-TL-H | Sanyo Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 5285 |
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6HP04MH | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 2330 |
6HP04MH-TL-W | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 6299 |
6HP04MH-TL-W | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
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