AML2002 Spécifications techniques

AML2002 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 1.5W
Number of Elements 1
Case Connection ISOLATED
Lens Style Flat
Gain Bandwidth Product 120MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 700mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1μA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 200V
Collector Emitter Saturation Voltage 125mV
Emitter Base Voltage (VEBO) 8V
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Number of Pins 3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2012
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)
Pin Count 3
Element Configuration Single
Power - Max 1.5W
Transistor Application SWITCHING
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 220mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 220mV @ 35mA, 350mA
Transition Frequency 120MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 220V
hFE Min 200
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
AML2002 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple 2742

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