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ATP302-TL-H Spécifications techniques

ATP302-TL-H P-channel MOSFET Transistor, 70 A, 60 V, 3-Pin ATPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e6
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 13mOhm
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 70W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A Ta
Rise Time 430ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 420 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 280A
Length 6.5mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 18 hours ago)
Package / Case ATPAK (2 leads+tab)
Number of Pins 3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 70W
Turn On Delay Time 35 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13m Ω @ 35A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5400pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 500 ns
Continuous Drain Current (ID) 70A
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Height 1.5mm
Width 7.3mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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