BAS40LT1G Spécifications techniques

BAS40LT1G datasheet pdf and Diodes - Rectifiers - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Redresseur à Diode Monophasé
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Cut Tape (CT)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Max Operating Temperature 150°C
HTS Code 8541.10.00.70
Subcategory Rectifier Diodes
Terminal Form GULL WING
Current Rating 5A
Base Part Number BAS40L
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Diode Type Schottky
Power Dissipation 225mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 40mA
Max Reverse Leakage Current 1μA
Max Surge Current 600mA
Breakdown Voltage 40V
Forward Voltage 1V
Average Rectified Current 120mA
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 40V
Peak Non-Repetitive Surge Current 600mA
Height 1.01mm
Width 1.4mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Element Material SILICON
Published 2002
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -55°C
Capacitance 5pF
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Polarity Standard
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Current - Reverse Leakage @ Vr 1μA @ 25V
Output Current 120mA
Forward Current 120mA
Operating Temperature - Junction -55°C~150°C
Halogen Free Halogen Free
Current - Average Rectified (Io) 120mA DC
Max Reverse Voltage (DC) 40V
Peak Reverse Current 1μA
Capacitance @ Vr, F 5pF @ 1V 1MHz
Max Forward Surge Current (Ifsm) 200mA
Length 3.04mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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