BD675A Spécifications techniques

BD675A datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 45V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application AMPLIFIER
Collector Emitter Voltage (VCEO) 45V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 2A 3V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2.8V @ 40mA, 2A
Collector Emitter Saturation Voltage 2.8V
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Continuous Collector Current 4A
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 40W
Current Rating 4A
Base Part Number BD675
Qualification Status Not Qualified
Polarity NPN
Power Dissipation 40W
Transistor Type NPN - Darlington
Max Collector Current 4A
Current - Collector Cutoff (Max) 500μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 45V
Collector Base Voltage (VCBO) 45V
hFE Min 750
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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