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BD680 Spécifications techniques

BD680 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Supplier Device Package TO-225AA
Packaging Bulk
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC -80V
Current Rating -4A
Polarity PNP
Power Dissipation 40W
Transistor Type PNP - Darlington
Max Collector Current 4A
Current - Collector Cutoff (Max) 500μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 80V
Current - Collector (Ic) (Max) 4A
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Continuous Collector Current 4A
Lead Free Contains Lead
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2009
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 40W
Base Part Number BD680
Element Configuration Single
Power - Max 40W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 1.5A 3V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 30mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Collector Base Voltage (VCBO) 80V
hFE Min 750
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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