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BDV64BG Spécifications techniques
BDV64BG datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 2 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | -100V |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | COLLECTOR |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Max Collector Current | 10A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 100V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 2V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Package / Case | TO-247-3 |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -65°C~150°C TJ |
Published | 2002 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 125W |
Current Rating | -10A |
Pin Count | 3 |
Polarity | PNP |
Power Dissipation | 125W |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 100V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A 4V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 20mA, 5A |
Transition Frequency | 0.1MHz |
Collector Base Voltage (VCBO) | 100V |
hFE Min | 1000 |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
BDV64BG Documents
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-
Feuilles de données
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Les pièces suivantes comprennent 'BDV64'
Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
BDV64 | Central Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2591 |
BDV64-S | Bourns, Inc. | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2500 |
BDV64-S | Bourns Inc. | BDV64-S | |
BDV64. | NEC | Circuits intégrés spécialisés | 66850 |
BDV64A | Central Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 1686 |
BDV64A-S | Bourns, Inc. | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 2655 |
BDV64A-S | Bourns Inc. | Transistors BJT simples | |
BDV64A. | ON/PHI | Circuits intégrés spécialisés | 66850 |
BDV64B | Central Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 3097 |
BDV64B | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple | 1441 |
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