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BFL4007 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 600V 8.7A TO-220FI

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2W Ta 40W Tc
Case Connection ISOLATED
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 680m Ω @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 122 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain-source On Resistance-Max 0.68Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 600V
Radiation Hardening No
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
HTS Code 8541.29.00.95
Terminal Position SINGLE
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 27 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.7A Ta
Rise Time 72ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 48 ns
Continuous Drain Current (ID) 8.7A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 49A
Avalanche Energy Rating (Eas) 215 mJ
RoHS Status RoHS Compliant
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