BS270 Spécifications techniques

BS270 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 11 Weeks
Contact Plating Copper, Silver, Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 2MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 400mA
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 630mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 400mA Ta
Vgs (Max) ±20V
Threshold Voltage 2.1V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.4A
Nominal Vgs 2.1 V
Height 4.7mm
Width 3.93mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Weight 200mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 1998
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 60V
Terminal Position BOTTOM
Base Part Number BS270
Power Dissipation-Max 625mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ω @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Continuous Drain Current (ID) 400mA
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Feedback Cap-Max (Crss) 5 pF
Length 4.7mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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