BSS84LT1G Spécifications techniques

BSS84LT1G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 23 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Current Rating -130mA
Pin Count 3
Power Dissipation-Max 225mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 3.6 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 5V
Rise Time 1ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 16 ns
Threshold Voltage -2V
Drain to Source Breakdown Voltage 50V
Height 1.016mm
Width 1.397mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 10Ohm
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 225mW
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 Ω @ 100mA, 5V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 130mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 5V
Fall Time (Typ) 1 ns
Continuous Drain Current (ID) 130mA
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Nominal Vgs 2 V
Length 3.0226mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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