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ECH8659-TL-H Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e6
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Pin Count 8
Power Dissipation 1.3W
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Halogen Free Halogen Free
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.8nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Turn-Off Delay Time 43 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
FET Feature Logic Level Gate
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Resistance 24mOhm
Max Power Dissipation 1.5W
Element Configuration Dual
Turn On Delay Time 10 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24m Ω @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 10V
Rise Time 25ns
Fall Time (Typ) 25 ns
Continuous Drain Current (ID) 7A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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