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EGP30B Spécifications techniques
EGP30B datasheet pdf and Diodes - Rectifiers - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Redresseur à Diode Monophasé |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | DO-201AD, Axial |
Weight | 360mg |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -65°C |
Capacitance | 95pF |
Voltage - Rated DC | 100V |
Current Rating | 3A |
Number of Elements | 1 |
Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5μA @ 100V |
Output Current | 3A |
Case Connection | ISOLATED |
Operating Temperature - Junction | -65°C~150°C |
Application | EFFICIENCY |
Max Reverse Voltage (DC) | 100V |
Number of Phases | 1 |
Peak Reverse Current | 5μA |
Capacitance @ Vr, F | 95pF @ 4V 1MHz |
Reverse Voltage | 100V |
Recovery Time | 50 ns |
Diameter | 5.6mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 2 |
Diode Element Material | SILICON |
Published | 2004 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
HTS Code | 8541.10.00.80 |
Subcategory | Rectifier Diodes |
Terminal Form | WIRE |
Base Part Number | EGP30B |
Element Configuration | Single |
Diode Type | Standard |
Power Dissipation | 6.25W |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 3A |
Forward Current | 3A |
Max Surge Current | 125A |
Forward Voltage | 950mV |
Average Rectified Current | 3A |
Reverse Recovery Time | 50 ns |
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) | 100V |
Peak Non-Repetitive Surge Current | 125A |
Max Forward Surge Current (Ifsm) | 125A |
Natural Thermal Resistance | 20 °C/W |
Height | 9.5mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
EGP30B Documents
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-
Feuilles de données
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Les pièces suivantes comprennent 'EGP30'
Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
EGP30A | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Simple | 150000 |
EGP30A | Fairchild/ON Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Simple | 150000 |
EGP30A | ON Semiconductor | Redresseur à Diode Monophasé | |
EGP30A-E3/54 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodes - Redresseurs - Simple | 2645 |
EGP30A-E3/54 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodes - Redresseurs - Simple | 2617 |
EGP30A-E3/73 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodes - Redresseurs - Simple | 2563 |
EGP30A-E3/73 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodes - Redresseurs - Simple | 2567 |
EGP30A-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Diodes - Redresseurs - Simple | 2716 |
EGP30AHE3/54 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodes - Redresseurs - Simple | 2714 |
EGP30AHE3/54 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodes - Redresseurs - Simple | 2688 |
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