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EMD5DXV6T1G Spécifications techniques
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Arrays de transistors BJT |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Number of Elements | 2 |
Polarity/Channel Type | NPN/PNP |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V / 20 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Resistor - Base (R1) | 4.7k Ω, 47k Ω |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2014 |
Part Status | Obsolete |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Reach Compliance Code | compliant |
Power - Max | 500mW |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Power Dissipation-Max (Abs) | 0.5W |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10k Ω, 47k Ω |
EMD5DXV6T1G Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
EMD5DXV6T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2681 |
EMD5DXV6T1 | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT | |
EMD5DXV6T1 | Rochester Electronics, LLC | Arrays de transistors BJT | |
EMD5DXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2545 |
EMD5DXV6T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, Pré-polarisés | 2573 |
EMD5DXV6T5G | ON Semiconductor | Arrays de transistors BJT |
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