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EMH2417R-TL-H Spécifications techniques

MOSFET NCH+NCH 11A 12V EMH8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Max Power Dissipation 1.3W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Turn On Delay Time 470 ns
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Vgs(th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA
Rise Time 1.6μs
Turn-Off Delay Time 8.9 μs
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
FET Feature Logic Level Gate, 2.5V Drive
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C TJ
JESD-609 Code e6
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Channels 2
Power - Max 1.3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10m Ω @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
Fall Time (Typ) 6.4 μs
Continuous Drain Current (ID) 11A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status RoHS Compliant
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