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EMX2DXV6T5G Spécifications techniques

Dual NPN Bipolar Transistor

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Tableaux BJT Transistors
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 500mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 180MHz
Pin Count 6
Polarity NPN
Power Dissipation 500mW
Gain Bandwidth Product 180MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
Transition Frequency 180MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 60V
hFE Min 120
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Form FLAT
Current Rating 100mA
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Collector Emitter Saturation Voltage 400mV
Emitter Base Voltage (VEBO) 7V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
EMX2DXV6T5 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux 2551
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