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EMZ1DXV6T5G Spécifications techniques

TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Tableaux BJT Transistors
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 500mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 140MHz
Base Part Number EMZ1
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type NPN, PNP
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 60V
Collector Emitter Saturation Voltage -500mV
Collector Base Voltage (VCBO) 50V
hFE Min 120
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 60V
Terminal Form FLAT
Current Rating 100mA
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 6
Polarity NPN, PNP
Power Dissipation 500mW
Gain Bandwidth Product 140MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 60V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Transition Frequency 180MHz
Frequency - Transition 180MHz 140MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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