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FCA20N60F Spécifications techniques

FCA20N60F datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Weight 6.401g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 208W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 62 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A Tc
Rise Time 140ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 230 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 60A
Height 20.1mm
Width 5mm
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series SuperFET™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Base Part Number FCA20N60
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 208W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190m Ω @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3080pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 65 ns
Continuous Drain Current (ID) 20A
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
Avalanche Energy Rating (Eas) 690 mJ
Length 16.2mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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