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FCD4N60TM Spécifications techniques
FCD4N60TM datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | SuperFET™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Resistance | 1.2Ohm |
Voltage - Rated DC | 600V |
Terminal Form | GULL WING |
Base Part Number | FCD4N60 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 50W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ω @ 2A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.6nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 30 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 3.9A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Dual Supply Voltage | 600V |
Nominal Vgs | 5 V |
Length | 6.73mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Weight | 260.37mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | 3.9A |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 50W |
Turn On Delay Time | 16 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A Tc |
Rise Time | 45ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 36 ns |
Threshold Voltage | 5V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 600V |
Max Junction Temperature (Tj) | 150°C |
Height | 2.517mm |
Width | 6.22mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
FCD4N60TM Documents
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-
Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FCD4N60 | Fairchi | Circuits intégrés spécialisés | 7494 |
FCD4N60 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 26813 |
FCD4N60TF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 32863 |
FCD4N60TF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 10502 |
FCD4N60TM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 15950 |
FCD4N60TM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 34463 |
FCD4N60TM_WS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 32363 |
FCD4N60TM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 32363 |
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