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FCD5N60TM-WS Spécifications techniques
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 14 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Series | SuperFET™ |
Part Status | Active |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Base Part Number | FCD5N60 |
Power Dissipation-Max | 54W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 12 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950m Ω @ 2.3A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 22 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 4.6A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 600V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Weight | 260.37mg |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 54W |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A Tc |
Rise Time | 40ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 47 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Radiation Hardening | No |
FCD5N60TM-WS Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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FCD5N60-F085 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2736 |
FCD5N60-F085 | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
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