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FCH47N60F-F085 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 110 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 47A Tc
Rise Time 160ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 125 ns
Continuous Drain Current (ID) 47A
Drain-source On Resistance-Max 0.075Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 810 mJ
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 6.39g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series Automotive, AEC-Q101, SuperFET™
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Reach Compliance Code not_compliant
Base Part Number FCH47N60
Power Dissipation-Max 417W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75m Ω @ 47A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 540 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
DS Breakdown Voltage-Min 600V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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