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FCP150N65F Spécifications techniques

MOSFET HV SuperJunction MOS

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.8g
Packaging Tube
Series HiPerFET™, Polar™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max 298W Tc
Turn On Delay Time 28 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150m Ω @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3737pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 6 ns
Continuous Drain Current (ID) 24A
Drain to Source Breakdown Voltage 650V
Length 10.67mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2017
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Channels 1
Element Configuration Single
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.4mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A Tc
Rise Time 15ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 73 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Height 16.3mm
Width 4.7mm
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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