FCP16N60N Spécifications techniques

FCP16N60N datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.8g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2009
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 199mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 134.4W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 15.8 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A Tc
Rise Time 15.5ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 60.3 ns
Threshold Voltage 2V
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 48A
Height 9.4mm
Width 4.83mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series SupreMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 134.4W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 199m Ω @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2170pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52.3nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 20.2 ns
Continuous Drain Current (ID) 16A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
Nominal Vgs 2 V
Length 10.67mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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