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FCP220N80 Spécifications techniques

MOSFET 800V 23A N-Channel SuperFET II MOSFET

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2014
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.95
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max 278W Tc
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.3mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Vgs (Max) ±20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Weight 1.8g
Packaging Tube
Series SuperFET® II
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220m Ω @ 11.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4560pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Continuous Drain Current (ID) 23A
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