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FCP260N60E Spécifications techniques

FCP260N60E datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.8g
Packaging Tube
Series SuperFET® II
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max 156W Tc
Power Dissipation 156W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A Tc
Rise Time 11ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 13 ns
Continuous Drain Current (ID) 15A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Height 16.51mm
Width 4.83mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2012
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 20 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260m Ω @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 13 ns
Threshold Voltage 2.5V
Drain to Source Breakdown Voltage 650V
Length 10.67mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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