FCPF260N60E-F152 Spécifications techniques

MOSFET N CH 600V 15A TO-220F

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series SuperFET® II
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260m Ω @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
JEDEC-95 Code TO-220AB
DS Breakdown Voltage-Min 600V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Reach Compliance Code not_compliant
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 36W Tc
Case Connection ISOLATED
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 45A
Avalanche Energy Rating (Eas) 292.5 mJ
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