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FCPF380N60-F152 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 600V 10.2A TO-220F

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 31W
Turn On Delay Time 7 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.2A Tc
Rise Time 14ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 45 ns
Continuous Drain Current (ID) 10.2A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Weight 2.565008g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series SuperFET® II
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Reach Compliance Code not_compliant
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 31W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection ISOLATED
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380m Ω @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1665pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 6 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
DS Breakdown Voltage-Min 600V
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