FCPF650N80Z Spécifications techniques

FCPF650N80Z datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Weight 2.27g
Packaging Tube
Series SuperFET® II
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Reach Compliance Code not_compliant
Number of Channels 1
Element Configuration Single
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 800μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A Tc
Rise Time 11ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 3.4 ns
Continuous Drain Current (ID) 8A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 8A
Length 10.36mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2017
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max 30.5W Tc
Turn On Delay Time 17 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650m Ω @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1565pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Height 16.07mm
Width 4.9mm
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