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FCPF7N60NT Spécifications techniques

FCPF7N60NT datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Weight 2.27g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 600MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 30.5W
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.8A Tc
Rise Time 6ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 35 ns
Threshold Voltage 2V
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 20.4A
Height 16.07mm
Width 4.9mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series SupreMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 30.5W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection ISOLATED
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520m Ω @ 3.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 960pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35.6nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 12 ns
Continuous Drain Current (ID) 6.8A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
Avalanche Energy Rating (Eas) 79.4 mJ
Length 10.36mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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