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FCPF9N60NTYDTU
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FCPF9N60NTYDTU Spécifications techniques
MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Series | SupreMOS™ |
Part Status | Active |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Element Configuration | Single |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 385m Ω @ 4.5A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1240pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Continuous Drain Current (ID) | 9A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 weeks ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Weight | 2.565g |
Packaging | Tube |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Power Dissipation-Max | 29.8W Tc |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Vgs (Max) | ±30V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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FCPF9N60NT | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 113550 |
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FCPF9N60NT | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
FCPF9N60NT TK10A60 | Toshiba Semiconductor and Storage | Circuits intégrés spécialisés | 32363 |
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