FDB082N15A Spécifications techniques

FDB082N15A datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight 1.31247g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 231W
Turn On Delay Time 22 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 117A Tc
Rise Time 58ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 61 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 420A
Height 4.83mm
Width 9.65mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 8.2MOhm
Additional Feature ULTRA-LOW RESISTANCE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 294W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6040pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 26 ns
Continuous Drain Current (ID) 105A
Drain to Source Breakdown Voltage 150V
Avalanche Energy Rating (Eas) 542 mJ
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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