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FDB082N15A Spécifications techniques
FDB082N15A datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Weight | 1.31247g |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 231W |
Turn On Delay Time | 22 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 117A Tc |
Rise Time | 58ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 61 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 420A |
Height | 4.83mm |
Width | 9.65mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Resistance | 8.2MOhm |
Additional Feature | ULTRA-LOW RESISTANCE |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 294W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2m Ω @ 75A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6040pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 26 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 105A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 150V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 542 mJ |
Length | 10.67mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
FDB082N15A Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FDB082N15A | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 44121 |
FDB082N15A | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 44121 |
FDB082N15A MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 262 |
FDB082N15ATM | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 30 |
FDB088N08 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 35197 |
FDB088N08 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 35197 |
FDB088N08 | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
FDB088N08_F141 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2508 |
FDB08N150 | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 587 |
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