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FDB28N30TM Spécifications techniques
FDB28N30TM datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | UniFET™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 250W |
Turn On Delay Time | 35 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A Tc |
Rise Time | 135ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 79 ns |
Threshold Voltage | 5V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 300V |
Height | 4.83mm |
Width | 11.33mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Weight | 1.31247g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2007 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Resistance | 129mOhm |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Qualification Status | Not Qualified |
Power Dissipation-Max | 250W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 129m Ω @ 14A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2250pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 69 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 28A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 588 mJ |
Length | 10.67mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
FDB28N30TM Documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour FDB28N30TM
-
Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FDB28N30 | FAIRCHI | Circuits intégrés spécialisés | 2675 |
FDB28N30T | FAIRCHI | Circuits intégrés spécialisés | 2788 |
FDB28N30TM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2490 |
FDB28N30TM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 23474 |
FDB28N30TM IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 10634 |
FDB28N30TM MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 909 |
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