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FDB3502 Spécifications techniques
FDB3502 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 3.1W Ta 41W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47m Ω @ 6A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 815pF @ 40V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 3 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 6A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 6A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 40A |
Height | 4.83mm |
Width | 11.33mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 19 hours ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Weight | 1.31247g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2007 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Resistance | 47MOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 3.1W |
Turn On Delay Time | 9 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A Ta 14A Tc |
Rise Time | 3ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 13 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 75V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 54 mJ |
Length | 10.67mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
FDB3502 Documents
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-
Feuilles de données
D'autres incluent "FDB35" les pièces
Les pièces suivantes comprennent 'FDB35'
Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FDB3502 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 38871 |
FDB3502 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 11716 |
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