FDB3672-F085 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight 1.31247g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Series Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 120W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28m Ω @ 44A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1710pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 44 ns
Continuous Drain Current (ID) 7.2A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 44A
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 120W
Turn On Delay Time 11 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.2A Ta 44A Tc
Rise Time 59ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.047Ohm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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