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FDBL0210N80 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 80V 240A H-PSOF8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerSFN
Weight 850.0521mg
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2017
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-F2
Power Dissipation-Max 357W Tj
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2m Ω @ 80A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10000pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 169nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Continuous Drain Current (ID) 240A
Drain-source On Resistance-Max 0.002Ohm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 245
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 240A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Vgs (Max) ±20V
JEDEC-95 Code MO-299A
Avalanche Energy Rating (Eas) 512 mJ
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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