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FDBL86561-F085 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 300A PSOF8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Package / Case 8-PowerSFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-F2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1m Ω @ 80A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13650pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
JEDEC-95 Code MO-299A
Drain-source On Resistance-Max 0.0022Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 1167 mJ
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Series Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) 245
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 429W Tj
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 300A
DS Breakdown Voltage-Min 60V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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