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FDC021N30 Spécifications techniques

PT8 N 30V/20V, MOSFET

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Weight 36mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Number of Elements 1
Element Configuration Single
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26m Ω @ 6.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.8nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Continuous Drain Current (ID) 6.1A
JEDEC-95 Code MO-193AA
Feedback Cap-Max (Crss) 30 pF
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Power Dissipation-Max 700mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.1A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Threshold Voltage 1.8V
DS Breakdown Voltage-Min 30V
REACH SVHC No SVHC
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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