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FDC6302P Spécifications techniques

MOSFET SSOT-6 P-CH -25V

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Weight 36mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 1997
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC -25V
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 5 ns
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 Ω @ 200mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.31nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Turn-Off Delay Time 9 ns
Threshold Voltage -1V
Drain to Source Breakdown Voltage -25V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Nominal Vgs -1 V
Length 3mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 900mW
Current Rating -120mA
Element Configuration Dual
Power Dissipation 900mW
Power - Max 700mW
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120mA
Rise Time 8ns
Fall Time (Typ) 5 ns
Continuous Drain Current (ID) -120mA
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Dual Supply Voltage -25V
FET Feature Logic Level Gate
Height 1.12mm
Width 1.68mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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