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FDC6303N Spécifications techniques
FDC6303N datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Weight | 36mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 1997 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Resistance | 450mOhm |
Additional Feature | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
Voltage - Rated DC | 25V |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Power Dissipation | 900mW |
Power - Max | 700mW |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V |
Fall Time (Typ) | 13 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 680mA |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 8V |
Dual Supply Voltage | 25V |
Max Junction Temperature (Tj) | 150°C |
Nominal Vgs | 800 mV |
Length | 3mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 6 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Max Power Dissipation | 900mW |
Current Rating | 680mA |
Number of Channels | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 3 ns |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450m Ω @ 500mA, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
Rise Time | 8.5ns |
Turn-Off Delay Time | 17 ns |
Threshold Voltage | 800mV |
Drain to Source Breakdown Voltage | 25V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
FET Feature | Logic Level Gate |
Height | 1.1mm |
Width | 1.7mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
FDC6303N Documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour FDC6303N
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Feuilles de données
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FDC6301N | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 166744 |
FDC6301N | ON Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
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FDC6301N MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 2435 |
FDC6301N-NL | FAIRCHI | Circuits intégrés spécialisés | 1643 |
FDC6301N/B32 | FAIRCHI | Circuits intégrés spécialisés | 2189 |
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