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FDC638P Spécifications techniques
FDC638P datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 6 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Other Transistors |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 1.6W Ta |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 12 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A Ta |
Rise Time | 9ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 2.5V 4.5V |
Fall Time (Typ) | 9 ns |
Continuous Drain Current (ID) | -4.5A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 8V |
Dual Supply Voltage | -20V |
Nominal Vgs | -800 mV |
Length | 3mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Weight | 36mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2001 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Resistance | 48MOhm |
Voltage - Rated DC | -20V |
Terminal Position | DUAL |
Current Rating | -4.5A |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 1.6W |
FET Type | P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48m Ω @ 4.5A, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1160pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Vgs (Max) | ±8V |
Turn-Off Delay Time | 33 ns |
Threshold Voltage | -800mV |
Drain to Source Breakdown Voltage | -20V |
Max Junction Temperature (Tj) | 150°C |
Height | 1.1mm |
Width | 1.7mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
FDC638P Documents
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Feuilles de données
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FDC6301N | ON Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
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