FDC6392S Spécifications techniques

MOSFET P-CH 20V 2.2A SSOT-6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 960mW
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150m Ω @ 2.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 369pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Vgs (Max) ±12V
Turn-Off Delay Time 13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Weight 36mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2002
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC -20V
Terminal Position DUAL
Current Rating -2.2A
Power Dissipation-Max 960mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 8 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A Ta
Rise Time 11ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.5V 4.5V
Fall Time (Typ) 11 ns
Continuous Drain Current (ID) 2.2A
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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