FDC640P Spécifications techniques

FDC640P datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Weight 36mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2001
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Resistance 53mOhm
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.6W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53m Ω @ 4.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 890pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Vgs (Max) ±12V
Turn-Off Delay Time 24 ns
Threshold Voltage -1V
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
Height 1mm
Width 1.7mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC -20V
Terminal Position DUAL
Current Rating -4.5A
Power Dissipation-Max 1.6W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A Ta
Rise Time 9ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.5V 4.5V
Fall Time (Typ) 13 ns
Continuous Drain Current (ID) 4.5mA
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Nominal Vgs -1 V
Length 3mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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