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FDC653N Spécifications techniques
FDC653N datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 6 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 1.6W Ta |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 7.5 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A Ta |
Rise Time | 12ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 13 ns |
Threshold Voltage | 1.7V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 5A |
Dual Supply Voltage | 30V |
Nominal Vgs | 1.7 V |
Length | 3mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Weight | 30mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 1997 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Resistance | 35MOhm |
Voltage - Rated DC | 30V |
Terminal Position | DUAL |
Current Rating | 5A |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 1.6W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35m Ω @ 5A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 12 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 5A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 30V |
Max Junction Temperature (Tj) | 150°C |
Height | 1.1mm |
Width | 1.7mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
FDC653N Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FDC6506 | FAIRCHILD | Circuits intégrés spécialisés | 6220 |
FDC6506P | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 239656 |
FDC6506P | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 1991 |
FDC6506P | ON Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
FDC6506P MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 842 |
FDC6506P-NL | FAIRCHI | Circuits intégrés spécialisés | 31544 |
FDC6506_NL | FAIRCHILD | Circuits intégrés spécialisés | 3305 |
FDC652P | FAI | Circuits intégrés spécialisés | 3446 |
FDC653 | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 2586 |
FDC653N | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 30395 |
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