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FDD6612A Spécifications techniques
FDD6612A datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Weight | 260.37mg |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2004 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Resistance | 20MOhm |
Additional Feature | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
Voltage - Rated DC | 30V |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 2.8W Ta 36W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20m Ω @ 9.5A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4nC @ 5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 4 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 30A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 30V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 90 mJ |
Height | 2.39mm |
Width | 6.22mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | 30A |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 36W |
Turn On Delay Time | 9 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A Ta 30A Tc |
Rise Time | 5ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 24 ns |
Threshold Voltage | 2V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 9.5A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 60A |
Nominal Vgs | 2 V |
Length | 6.73mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FDD6612A Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FDD6606 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 11703 |
FDD6606 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2722 |
FDD6606 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 15313 |
FDD6606-NL | FAIRCHILD | Circuits intégrés spécialisés | 2579 |
FDD6612 | FAIRCHILD | Circuits intégrés spécialisés | 1299 |
FDD6612A | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 61318 |
FDD6612A | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 64040 |
FDD6612A IC | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 1199 |
FDD6612A MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 716 |
FDD6612A-NL | FAI | Circuits intégrés spécialisés | 491 |
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